MS652S
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| Numero parte | MS652S |
| PNEDA Part # | MS652S |
| Descrizione | RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.668 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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MS652S Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MS652S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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MS652S Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 16V |
| Frequenza - Transizione | 450MHz ~ 512MHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | 10dB |
| Potenza - Max | 25W |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 200mA, 5V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 2A |
| Temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | M123 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | M123 |
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Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 15V Frequenza - Transizione 2.8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 2.5dB @ 800MHz Guadagno - Potenza - Max 300mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 25mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) |
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