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MS2213

MS2213

Solo per riferimento

Numero parte MS2213
PNEDA Part # MS2213
Descrizione RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.292
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS2213 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS2213
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS2213 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)55V
Frequenza - Transizione960MHz ~ 1.215GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7.8dB
Potenza - Max75W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 1A, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)3.5A
Temperatura di esercizio250°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaM214
Pacchetto dispositivo fornitoreM214

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

21V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB ~ 9dB

Potenza - Max

5.3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55EU

Pacchetto dispositivo fornitore

55EU

MT4S300U(TE85L,O,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4V

Frequenza - Transizione

26.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB @ 2GHz

Guadagno

16.9dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

USQ

BF959G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MS2588

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

KSC2786YBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

18dB ~ 22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

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