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MRF7S19100NBR1

MRF7S19100NBR1

Solo per riferimento

Numero parte MRF7S19100NBR1
PNEDA Part # MRF7S19100NBR1
Descrizione FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF7S19100NBR1 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF7S19100NBR1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - RF
Datasheet
MRF7S19100NBR1, MRF7S19100NBR1 Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 656,92 KB)
PDFMRF7S19100NR1 Datasheet Copertura
MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 2 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 3 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 4 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 5 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 6 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 7 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 8 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 9 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 10 MRF7S19100NR1 Datasheet Pagina 11

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MRF7S19100NBR1 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorLDMOS
Frequenza1.93GHz ~ 1.99GHz
Guadagno17.5dB
Tensione - Test28V
Corrente nominale (Amp)-
Figura di rumore-
Corrente - Test1A
Potenza - Uscita29W
Tensione - Nominale65V
Pacchetto / CustodiaTO-272BB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-272 WB-4

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

870MHz

Guadagno

17dB

Tensione - Test

13.6V

Corrente nominale (Amp)

2A

Figura di rumore

-

Corrente - Test

200mA

Potenza - Uscita

5W

Tensione - Nominale

40V

Pacchetto / Custodia

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerSO-10RF (Formed Lead)

PTFB213208FV-V1-R250

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Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.11GHz ~ 2.17GHz

Guadagno

17dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

10µA

Figura di rumore

-

Corrente - Test

2.6A

Potenza - Uscita

320W

Tensione - Nominale

65V

Pacchetto / Custodia

H-37275G-6/2

Pacchetto dispositivo fornitore

H-37275G-6/2

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

pHEMT FET

Frequenza

3.55GHz

Guadagno

10dB

Tensione - Test

6V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

180mA

Potenza - Uscita

450mW

Tensione - Nominale

8V

Pacchetto / Custodia

PLD-1.5

Pacchetto dispositivo fornitore

PLD-1.5

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

880MHz

Guadagno

19.7dB

Tensione - Test

28V

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

1.5A

Potenza - Uscita

33W

Tensione - Nominale

68V

Pacchetto / Custodia

SOT-957A

Pacchetto dispositivo fornitore

NI-780H-2L

Produttore

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

LDMOS

Frequenza

2.11GHz ~ 2.2GHz

Guadagno

-

Tensione - Test

-

Corrente nominale (Amp)

-

Figura di rumore

-

Corrente - Test

-

Potenza - Uscita

-

Tensione - Nominale

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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