MPSH10G
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| Numero parte | MPSH10G |
| PNEDA Part # | MPSH10G |
| Descrizione | RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.070 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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MPSH10G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MPSH10G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
| Datasheet |
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MPSH10G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 25V |
| Frequenza - Transizione | 650MHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | - |
| Guadagno | - |
| Potenza - Max | 350mW |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno - Potenza - Max - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 10.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Guadagno 17.5dB Potenza - Max 450mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30mA Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-253-4, TO-253AA Pacchetto dispositivo fornitore SOT-143B |
Produttore Broadcom Limited Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 5.5V Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz Guadagno 11dB ~ 13dB Potenza - Max 100mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 8mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 9V Frequenza - Transizione 14GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Guadagno 9.5dB ~ 13.5dB Potenza - Max 380mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 40mA, 3V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 80mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSFP-3 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di transistor - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Frequenza - Transizione - Figura di rumore (dB Typ @ f) - Guadagno - Potenza - Max - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
