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MMIX1X200N60B3H1

MMIX1X200N60B3H1

Solo per riferimento

Numero parte MMIX1X200N60B3H1
PNEDA Part # MMIX1X200N60B3H1
Descrizione IGBT 600V 175A 520W SMPD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.590
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MMIX1X200N60B3H1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMIX1X200N60B3H1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
MMIX1X200N60B3H1, MMIX1X200N60B3H1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 245,32 KB)
PDFMMIX1X200N60B3H1 Datasheet Copertura
MMIX1X200N60B3H1 Datasheet Pagina 2 MMIX1X200N60B3H1 Datasheet Pagina 3 MMIX1X200N60B3H1 Datasheet Pagina 4 MMIX1X200N60B3H1 Datasheet Pagina 5 MMIX1X200N60B3H1 Datasheet Pagina 6 MMIX1X200N60B3H1 Datasheet Pagina 7 MMIX1X200N60B3H1 Datasheet Pagina 8

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MMIX1X200N60B3H1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)175A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)1000A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 100A
Potenza - Max520W
Switching Energy2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge315nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C48ns/160ns
Condizione di test360V, 100A, 1Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-PowerSMD, 21 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore24-SMPD

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

124A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

42ns/230ns

Condizione di test

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469W

Switching Energy

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

448nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/220ns

Condizione di test

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Potenza - Max

185W

Switching Energy

990µJ (on), 330µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

155nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/367ns

Condizione di test

400V, 15A, 26Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

95ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Potenza - Max

240W

Switching Energy

1.1mJ (on), 3.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

167nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

54ns/146ns

Condizione di test

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Condizione di test

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

47ns

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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