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MMIX1F40N110P

MMIX1F40N110P

Solo per riferimento

Numero parte MMIX1F40N110P
PNEDA Part # MMIX1F40N110P
Descrizione MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.228
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMIX1F40N110P Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMIX1F40N110P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MMIX1F40N110P, MMIX1F40N110P Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 179,31 KB)
PDFMMIX1F40N110P Datasheet Copertura
MMIX1F40N110P Datasheet Pagina 2 MMIX1F40N110P Datasheet Pagina 3 MMIX1F40N110P Datasheet Pagina 4 MMIX1F40N110P Datasheet Pagina 5 MMIX1F40N110P Datasheet Pagina 6

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MMIX1F40N110P Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™, PolarP2™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs310nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds19000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)500W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore24-SMPD
Pacchetto / Custodia24-PowerSMD, 21 Leads

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

74A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

IRFH4201TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

49A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

SI7160DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2970pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 27.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

IRF7324D1TR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 240mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.81nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300mW (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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