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MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G

Solo per riferimento

Numero parte MMBTH10-4LT1G
PNEDA Part # MMBTH10-4LT1G
Descrizione RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 83.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBTH10-4LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBTH10-4LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MMBTH10-4LT1G, MMBTH10-4LT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 91,3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1 Datasheet Copertura
MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 2 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 3 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 4 MMBTH10-4LT1 Datasheet Pagina 5

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MMBTH10-4LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione800MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

900MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

2.1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 4.8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

MS1336

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

175MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

70W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

M135

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS2588

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MRF559T

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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-

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