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MMBT6428LT1G

MMBT6428LT1G

Solo per riferimento

Numero parte MMBT6428LT1G
PNEDA Part # MMBT6428LT1G
Descrizione TRANS NPN 50V 0.2A SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.049.708
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBT6428LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBT6428LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MMBT6428LT1G, MMBT6428LT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 82,23 KB)
PDFMMBT6429LT1 Datasheet Copertura
MMBT6429LT1 Datasheet Pagina 2 MMBT6429LT1 Datasheet Pagina 3 MMBT6429LT1 Datasheet Pagina 4 MMBT6429LT1 Datasheet Pagina 5

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MMBT6428LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce250 @ 100µA, 5V
Potenza - Max225mW
Frequenza - Transizione700MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 15A, 4V

Potenza - Max

125W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-218-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-218

2N1711

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 15mA, 150mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 100mA, 10V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Potenza - Max

2.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

SMMBTA64LT1G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

225mW

Frequenza - Transizione

125MHz

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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