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MMBT5343-G

MMBT5343-G

Solo per riferimento

Numero parte MMBT5343-G
PNEDA Part # MMBT5343-G
Descrizione TRANS NPN SOT-23
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.516
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBT5343-G Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBT5343-G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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MMBT5343-G Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2A, 6V
Potenza - Max200mW
Frequenza - Transizione80MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 25mA, 1.4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

130 @ 1.4A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

MiniP3-F2-B

2SA1362-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BC318C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

30nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SC4604,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 75mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 200µA, 200mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

7000 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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