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MMBT5179

MMBT5179

Solo per riferimento

Numero parte MMBT5179
PNEDA Part # MMBT5179
Descrizione RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 670.524
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBT5179 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBT5179
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MMBT5179, MMBT5179 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 587,02 KB)
PDFMMBT5179 Datasheet Copertura
MMBT5179 Datasheet Pagina 2 MMBT5179 Datasheet Pagina 3 MMBT5179 Datasheet Pagina 4 MMBT5179 Datasheet Pagina 5 MMBT5179 Datasheet Pagina 6 MMBT5179 Datasheet Pagina 7 MMBT5179 Datasheet Pagina 8 MMBT5179 Datasheet Pagina 9 MMBT5179 Datasheet Pagina 10 MMBT5179 Datasheet Pagina 11

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MMBT5179 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione2GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)5dB @ 200MHz
Guadagno15dB
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 3mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

9.5dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (85 Plastic)

Pacchetto dispositivo fornitore

85 Plastic

BFP720FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

45GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

10.5dB ~ 28dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 13mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

MRF555

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Power Macro

Pacchetto dispositivo fornitore

Power Macro

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

18GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Guadagno

9.5dB ~ 11.5dB

Potenza - Max

130mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SuperMiniMold (M33)

MS1076C

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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