Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

MMBFJ110

MMBFJ110

Solo per riferimento

Numero parte MMBFJ110
PNEDA Part # MMBFJ110
Descrizione JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario
1 ---------- $1,9163
250 ---------- $1,8265
500 ---------- $1,7366
1.000 ---------- $1,6468
2.500 ---------- $1,5720
5.000 ---------- $1,4971
Disponibile 2
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBFJ110 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBFJ110
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
MMBFJ110, MMBFJ110 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 331,83 KB)
PDFMMBFJ110 Datasheet Copertura
MMBFJ110 Datasheet Pagina 2 MMBFJ110 Datasheet Pagina 3 MMBFJ110 Datasheet Pagina 4 MMBFJ110 Datasheet Pagina 5 MMBFJ110 Datasheet Pagina 6 MMBFJ110 Datasheet Pagina 7 MMBFJ110 Datasheet Pagina 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • MMBFJ110 Datasheet
  • where to find MMBFJ110
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor MMBFJ110
  • MMBFJ110 PDF Datasheet
  • MMBFJ110 Stock

  • MMBFJ110 Pinout
  • Datasheet MMBFJ110
  • MMBFJ110 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • MMBFJ110 Price
  • MMBFJ110 Distributor

MMBFJ110 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)25V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)10mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id4V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)18 Ohms
Potenza - Max460mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

J177_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

300 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N4857JAN02

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AA (TO-18)

2SK3738-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2.3V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1.7pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SMCP

2N4391

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

4V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TIS75

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 4nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

60 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Venduto di recente

ADP5052ACPZ-R7

ADP5052ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG 5OUT BCK/LNR SYNC 48LFCSP

BNX002-01

BNX002-01

Murata

FILTER LC TH

IPS5451S

IPS5451S

Infineon Technologies

IC MOSFET HS PWR SW 35A D2PAK

BYG10D-E3/TR

BYG10D-E3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA

S34ML01G200TFI000

S34ML01G200TFI000

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

OV00426-B64G

OV00426-B64G

OmniVision Technologies Inc

BRIDGE SENSOR ASIC

FDS6675BZ

FDS6675BZ

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

SMBJ36CA

SMBJ36CA

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AA

MAX3232EUE+T

MAX3232EUE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MMSD4148T1G

MMSD4148T1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3