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MKE38P600TLB-TRR

MKE38P600TLB-TRR

Solo per riferimento

Numero parte MKE38P600TLB-TRR
PNEDA Part # MKE38P600TLB-TRR
Descrizione MOSFET N-CH
Produttore IXYS
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Disponibile 6.282
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 24 - apr 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MKE38P600TLB-TRR Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMKE38P600TLB-TRR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MKE38P600TLB-TRR, MKE38P600TLB-TRR Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 1.123,72 KB)
PDFMKE38P600TLB-TRR Datasheet Copertura
MKE38P600TLB-TRR Datasheet Pagina 2 MKE38P600TLB-TRR Datasheet Pagina 3 MKE38P600TLB-TRR Datasheet Pagina 4

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MKE38P600TLB-TRR Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia9-SMD Module
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS-SMPD™.B

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 38V

Potenza - Max

15.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

SH8K22TB1

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

460mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

62pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

33V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 260µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

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