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MJW21194G

MJW21194G

Solo per riferimento

Numero parte MJW21194G
PNEDA Part # MJW21194G
Descrizione TRANS NPN 250V 16A TO247
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.356
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJW21194G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJW21194G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJW21194G, MJW21194G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 119,02 KB)
PDFMJW21194 Datasheet Copertura
MJW21194 Datasheet Pagina 2 MJW21194 Datasheet Pagina 3 MJW21194 Datasheet Pagina 4 MJW21194 Datasheet Pagina 5 MJW21194 Datasheet Pagina 6 MJW21194 Datasheet Pagina 7

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MJW21194G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)16A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)250V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 3.2A, 16A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 8A, 5V
Potenza - Max200W
Frequenza - Transizione4MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SC5201(T6MURATAFM

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 20mA, 5V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

MMBT4403-7-F

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Microsemi

Produttore

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Serie

Military, MIL-PRF-19500/374

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

TO-111-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-111

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

Potenza - Max

40W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

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