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MJE4353G

MJE4353G

Solo per riferimento

Numero parte MJE4353G
PNEDA Part # MJE4353G
Descrizione TRANS PNP 160V 16A TO218
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 4.824
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 20 - feb 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJE4353G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJE4353G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJE4353G, MJE4353G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 132,68 KB)
PDFMJE4353G Datasheet Copertura
MJE4353G Datasheet Pagina 2 MJE4353G Datasheet Pagina 3 MJE4353G Datasheet Pagina 4 MJE4353G Datasheet Pagina 5 MJE4353G Datasheet Pagina 6 MJE4353G Datasheet Pagina 7 MJE4353G Datasheet Pagina 8

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MJE4353G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)16A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)160V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3.5V @ 2A, 16A
Corrente - Taglio collettore (Max)750µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 8A, 2V
Potenza - Max125W
Frequenza - Transizione1MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-218-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-93

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

170 @ 500mA, 10V

Potenza - Max

1.35W

Frequenza - Transizione

180MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

JAN2N3998

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/374

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

TO-210AA, TO-59-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-59

BD137G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-225AA

2SA1955FVBTPL3Z

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 200mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Potenza - Max

100mW

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

VESM

QST4TR

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 30mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

270 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

280MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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