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MJE200G

MJE200G

Solo per riferimento

Numero parte MJE200G
PNEDA Part # MJE200G
Descrizione TRANS NPN 40V 5A TO225AA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.160
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJE200G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJE200G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJE200G, MJE200G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 164,49 KB)
PDFMJE210TG Datasheet Copertura
MJE210TG Datasheet Pagina 2 MJE210TG Datasheet Pagina 3 MJE210TG Datasheet Pagina 4 MJE210TG Datasheet Pagina 5 MJE210TG Datasheet Pagina 6

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MJE200G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.8V @ 1A, 5A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce45 @ 2A, 1V
Potenza - Max15W
Frequenza - Transizione65MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-225AA

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BC640BU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N3420S

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2SC57880QA

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 375mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

180MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

MT-4-A1

FJBE2150DTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

ESBC™

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

800V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 330mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 400mA, 3V

Potenza - Max

110W

Frequenza - Transizione

5MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263)

JAN2N2945A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/382

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 500mV

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

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