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MJE15032G

MJE15032G

Solo per riferimento

Numero parte MJE15032G
PNEDA Part # MJE15032G
Descrizione TRANS NPN 250V 8A TO220AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.968
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJE15032G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJE15032G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJE15032G, MJE15032G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 216,99 KB)
PDFMJE15032 Datasheet Copertura
MJE15032 Datasheet Pagina 2 MJE15032 Datasheet Pagina 3 MJE15032 Datasheet Pagina 4 MJE15032 Datasheet Pagina 5 MJE15032 Datasheet Pagina 6 MJE15032 Datasheet Pagina 7

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MJE15032G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)250V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 100mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 2A, 5V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione30MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

180V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220D-A1

2PB709ART,235

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

70MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

D45VH10G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 800mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 1V

Potenza - Max

83W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

2N6279

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BF423ZL1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

Potenza - Max

830mW

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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