MJD45H11-1G
Solo per riferimento
| Numero parte | MJD45H11-1G |
| PNEDA Part # | MJD45H11-1G |
| Descrizione | TRANS PNP 80V 8A IPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 16.020 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MJD45H11-1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | MJD45H11-1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- MJD45H11-1G Datasheet
- where to find MJD45H11-1G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor MJD45H11-1G
- MJD45H11-1G PDF Datasheet
- MJD45H11-1G Stock
- MJD45H11-1G Pinout
- Datasheet MJD45H11-1G
- MJD45H11-1G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- MJD45H11-1G Price
- MJD45H11-1G Distributor
MJD45H11-1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 8A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 80V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1μA |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Potenza - Max | 1.75W |
| Frequenza - Transizione | 90MHz |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 15nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V Potenza - Max 250mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 30V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1A, 2V Potenza - Max 480mW Frequenza - Transizione 230MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 6A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A Corrente - Taglio collettore (Max) 700µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 4V Potenza - Max 65W Frequenza - Transizione 3MHz Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 20V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V Potenza - Max 600mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25000 @ 200mA, 5V Potenza - Max 1W Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) |
