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MJ11012G

MJ11012G

Solo per riferimento

Numero parte MJ11012G
PNEDA Part # MJ11012G
Descrizione TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 6.744
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Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
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MJ11012G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJ11012G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJ11012G, MJ11012G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 115,83 KB)
PDFMJ11016 Datasheet Copertura
MJ11016 Datasheet Pagina 2 MJ11016 Datasheet Pagina 3 MJ11016 Datasheet Pagina 4

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MJ11012G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 300mA, 30A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 20A, 5V
Potenza - Max200W
Frequenza - Transizione4MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-204 (TO-3)

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TIP122G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

4V @ 20mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 3V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

STX1F10

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

14 @ 1A, 5V

Potenza - Max

2.8W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

FJE5304DTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 2A, 5V

Potenza - Max

30W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

BCX6825H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT89

FMMT723TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

330mV @ 150mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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