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MG200J6ES61

MG200J6ES61

Solo per riferimento

Numero parte MG200J6ES61
PNEDA Part # MG200J6ES61
Descrizione IGBT MOD CMPCT 600V 200A
Produttore Powerex Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.552
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MG200J6ES61 Risorse

Brand Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMG200J6ES61
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MG200J6ES61, MG200J6ES61 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 217,65 KB)
PDFMG200J6ES61 Datasheet Copertura
MG200J6ES61 Datasheet Pagina 2 MG200J6ES61 Datasheet Pagina 3 MG200J6ES61 Datasheet Pagina 4

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MG200J6ES61 Specifiche

ProduttorePowerex Inc.
SerieIGBTMOD™
Tipo IGBT-
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200A
Potenza - Max1000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce40nF @ 10V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-20°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SP2

Pacchetto dispositivo fornitore

SP2

VS-GB400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

660A

Potenza - Max

2660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

33.7nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

Double INT-A-PAK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

187A

Potenza - Max

890W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

APTGF50DU120TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

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