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MDS150

MDS150

Solo per riferimento

Numero parte MDS150
PNEDA Part # MDS150
Descrizione RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MDS150 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMDS150
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MDS150 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Frequenza - Transizione1.03GHz ~ 1.09GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno10dB
Potenza - Max350W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 500mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55AW
Pacchetto dispositivo fornitore55AW

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2N5109

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 15V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

MS1649

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

470MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

7.8W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

ZTX325STOB

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

Guadagno

53dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

E-Line-3, Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

2304

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Frequenza - Transizione

2.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

10.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

BFR 360L3 E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Guadagno

11.5dB ~ 16dB

Potenza - Max

210mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

Pacchetto dispositivo fornitore

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