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MCP87030T-U/MF

MCP87030T-U/MF

Solo per riferimento

Numero parte MCP87030T-U/MF
PNEDA Part # MCP87030T-U-MF
Descrizione MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.474
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MCP87030T-U/MF Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCP87030T-U/MF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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MCP87030T-U/MF Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 4.5V
Vgs (massimo)+10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1635pF @ 12.5V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDFN (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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FDMS007N08LC

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 84A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 92.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRL2910STRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TPCA8031-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSV-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta), 30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP Advance (5x5)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

DMG4466SSS-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

478.9pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.42W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 3.3V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 5A, 3.3V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 3.3V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1503pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.47W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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