MCP14E10-E/P
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| Numero parte | MCP14E10-E/P |
| PNEDA Part # | MCP14E10-E-P |
| Descrizione | IC MOSFET DRIVER 3A 8DIP |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.858 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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MCP14E10-E/P Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MCP14E10-E/P |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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MCP14E10-E/P Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 18V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 3A, 3A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 25ns, 25ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 0V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1A, 2A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 1200V Tempo di salita / discesa (tipico) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 18 Leads Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-18-2 |
