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MCP14A1201T-E/MNY

MCP14A1201T-E/MNY

Solo per riferimento

Numero parte MCP14A1201T-E/MNY
PNEDA Part # MCP14A1201T-E-MNY
Descrizione 12.0A SINGLE INV MOSFET DRIVER
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.292
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MCP14A1201T-E/MNY Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCP14A1201T-E/MNY
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
MCP14A1201T-E/MNY, MCP14A1201T-E/MNY Datasheet (Totale pagine: 30, Dimensioni: 864,31 KB)
PDFMCP14A1201-E/MS Datasheet Copertura
MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 2 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 3 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 4 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 5 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 6 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 7 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 8 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 9 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 10 MCP14A1201-E/MS Datasheet Pagina 11

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MCP14A1201T-E/MNY Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 18V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)12A, 12A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)25ns, 25ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-TDFN (2x3)

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Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 25V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

8A, 8A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

MAX627ESA+T

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MCP14E3-E/SL

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

-

Numero di driver

2

Tipo di porta

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TC4423EPA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

23ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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