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MBRTA80030R

MBRTA80030R

Solo per riferimento

Numero parte MBRTA80030R
PNEDA Part # MBRTA80030R
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.942
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata ott 4 - ott 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRTA80030R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRTA80030R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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MBRTA80030R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)400A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If720mV @ 400A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 30V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

FYP1045DNTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

MUR10060CTR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

110ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

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