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MBRT200200R

MBRT200200R

Solo per riferimento

Numero parte MBRT200200R
PNEDA Part # MBRT200200R
Descrizione DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRT200200R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRT200200R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRT200200R, MBRT200200R Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 792,33 KB)
PDFMBRT200200R Datasheet Copertura
MBRT200200R Datasheet Pagina 2 MBRT200200R Datasheet Pagina 3

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MBRT200200R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)100A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If920mV @ 100A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

160A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.43V @ 520A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 1000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POW-R-BLOK™ Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POW-R-BLOK™ Module

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

32000V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

4.7A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

23V @ 12A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 32000V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

SRS2030 MNG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)

FERD30M45CT

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

FERD (Field Effect Rectifier Diode)

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

470mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

600µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

370mV @ 1mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 10V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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