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MBRT20020

MBRT20020

Solo per riferimento

Numero parte MBRT20020
PNEDA Part # MBRT20020
Descrizione DIODE MODULE 20V 200A 3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.138
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRT20020 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRT20020
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRT20020, MBRT20020 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 788,88 KB)
PDFMBRT20030R Datasheet Copertura
MBRT20030R Datasheet Pagina 2 MBRT20030R Datasheet Pagina 3

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MBRT20020 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)20V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If750mV @ 100A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 90V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 10A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

70A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.48V @ 200A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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