MBR60020CTR
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| Numero parte | MBR60020CTR |
| PNEDA Part # | MBR60020CTR |
| Descrizione | DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.750 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR60020CTR Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR60020CTR |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MBR60020CTR Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 20V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 300A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 300A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Twin Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 720mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 550µA @ 80V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
