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MBR600100CT

MBR600100CT

Solo per riferimento

Numero parte MBR600100CT
PNEDA Part # MBR600100CT
Descrizione DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.264
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 24 - set 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR600100CT Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR600100CT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBR600100CT, MBR600100CT Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 716,87 KB)
PDFMBR60080CTR Datasheet Copertura
MBR60080CTR Datasheet Pagina 2 MBR60080CTR Datasheet Pagina 3

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MBR600100CT Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If880mV @ 300A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaTwin Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreTwin Tower

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Infineon Technologies

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Configurazione diodi

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

100ps

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

720mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.4mA @ 60V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

SlimDPAK

DAP222MT2L

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 70V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

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MBRTA40040L

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 150A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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