MBR560MFST1G
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Numero parte | MBR560MFST1G |
PNEDA Part # | MBR560MFST1G |
Descrizione | DIODE SCHOTTKY 60V 5A 5DFN |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.132 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR560MFST1G Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | MBR560MFST1G |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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MBR560MFST1G Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | - |
Tipo di diodo | Schottky |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 5A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 780mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Diodes Incorporated Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 6A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia R6, Axial Pacchetto dispositivo fornitore R-6 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
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