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MBR2150VGTR-E1

MBR2150VGTR-E1

Solo per riferimento

Numero parte MBR2150VGTR-E1
PNEDA Part # MBR2150VGTR-E1
Descrizione DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.992
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR2150VGTR-E1 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR2150VGTR-E1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBR2150VGTR-E1, MBR2150VGTR-E1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 257,36 KB)
PDFMBR2150VRTR-E1 Datasheet Copertura
MBR2150VRTR-E1 Datasheet Pagina 2 MBR2150VRTR-E1 Datasheet Pagina 3 MBR2150VRTR-E1 Datasheet Pagina 4 MBR2150VRTR-E1 Datasheet Pagina 5 MBR2150VRTR-E1 Datasheet Pagina 6 MBR2150VRTR-E1 Datasheet Pagina 7 MBR2150VRTR-E1 Datasheet Pagina 8

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MBR2150VGTR-E1 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)150V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If850mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 150V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AC, DO-15, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-15
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

440pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221AC, SMA Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-221AC (SlimSMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

490mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-XDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

3-DFN1411 (1.4x1.1)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

1N8033-GA

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4.3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 5A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

274pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-276AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-276

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 250°C

IRKE196/16

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

195A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 1600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15mA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

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