MBR200150CT
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| Numero parte | MBR200150CT |
| PNEDA Part # | MBR200150CT |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.280 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR200150CT Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR200150CT |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MBR200150CT Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 100A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Twin Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D61-3M Pacchetto dispositivo fornitore D61-3M |
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