MAP6KE13AE3
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| Numero parte | MAP6KE13AE3 |
| PNEDA Part # | MAP6KE13AE3 |
| Descrizione | TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.730 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 22 - dic 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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MAP6KE13AE3 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MAP6KE13AE3 |
| Categoria | Potenza › Protezione del circuito › TVS - Diodi |
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MAP6KE13AE3 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
| Tipo | Zener |
| Canali unidirezionali | 1 |
| Canali bidirezionali | - |
| Tensione - Standoff inverso (tipico) | 11.1V |
| Tensione - Guasto (Min) | 12.4V |
| Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp | 18.2V |
| Corrente - Picco Impulso (10 / 1000µs) | 33A |
| Potenza - Impulso di picco | 600W |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| Applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ Frequenza | - |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | T-18, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-18 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo - Canali unidirezionali - Canali bidirezionali - Tensione - Standoff inverso (tipico) - Tensione - Guasto (Min) - Tensione - Bloccaggio (Max) @ Ipp - Corrente - Picco Impulso (10 / 1000µs) - Potenza - Impulso di picco - Protezione della linea di alimentazione - Applicazioni - Capacità @ Frequenza - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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