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MA4X86200L

MA4X86200L

Solo per riferimento

Numero parte MA4X86200L
PNEDA Part # MA4X86200L
Descrizione DIODE ARRAY GP 35V 100MA MINI4
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 53.106
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MA4X86200L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMA4X86200L
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MA4X86200L, MA4X86200L Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 247,34 KB)
PDFMA4X86200L Datasheet Copertura
MA4X86200L Datasheet Pagina 2 MA4X86200L Datasheet Pagina 3 MA4X86200L Datasheet Pagina 4

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MA4X86200L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)100mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 33V
Temperatura di esercizio - Giunzione-25°C ~ 85°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreMini4-G1

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.8V @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

38A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 20A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

120µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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GeneSiC Semiconductor

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Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

110A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.18V @ 100A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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