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M95320-DRDW6TP

M95320-DRDW6TP

Solo per riferimento

Numero parte M95320-DRDW6TP
PNEDA Part # M95320-DRDW6TP
Descrizione IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8TSSOP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.338
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M95320-DRDW6TP Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM95320-DRDW6TP
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M95320-DRDW6TP, M95320-DRDW6TP Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 834,68 KB)
PDFM95320-RMN6P Datasheet Copertura
M95320-RMN6P Datasheet Pagina 2 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 3 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 4 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 5 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 6 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 7 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 8 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 9 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 10 M95320-RMN6P Datasheet Pagina 11

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M95320-DRDW6TP Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria32Kb (4K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Micron Technology Inc.

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Gb (256M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x11.5)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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