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M58LT256KSB7ZA6F TR

M58LT256KSB7ZA6F TR

Solo per riferimento

Numero parte M58LT256KSB7ZA6F TR
PNEDA Part # M58LT256KSB7ZA6F-TR
Descrizione IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.334
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 10 - nov 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M58LT256KSB7ZA6F TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM58LT256KSB7ZA6F TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M58LT256KSB7ZA6F TR, M58LT256KSB7ZA6F TR Datasheet (Totale pagine: 108, Dimensioni: 1.988,1 KB)
PDFM58LT256KST8ZA6E Datasheet Copertura
M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 2 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 3 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 4 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 5 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 6 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 7 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 8 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 9 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 10 M58LT256KST8ZA6E Datasheet Pagina 11

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M58LT256KSB7ZA6F TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock52MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-TBGA (10x13)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR5

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.5GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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