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M48Z18-100PC1

M48Z18-100PC1

Solo per riferimento

Numero parte M48Z18-100PC1
PNEDA Part # M48Z18-100PC1
Descrizione IC NVSRAM 64K PARALLEL 28PCDIP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 498
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M48Z18-100PC1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM48Z18-100PC1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M48Z18-100PC1, M48Z18-100PC1 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 302,4 KB)
PDFM48Z18-100PC1 Datasheet Copertura
M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 2 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 3 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 4 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 5 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 6 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 7 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 8 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 9 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 10 M48Z18-100PC1 Datasheet Pagina 11

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M48Z18-100PC1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore28-PCDIP, CAPHAT®

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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CY7C1441AV33-133AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

S29GL128P90FFIR13

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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