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M34E02-FMB1TG

M34E02-FMB1TG

Solo per riferimento

Numero parte M34E02-FMB1TG
PNEDA Part # M34E02-FMB1TG
Descrizione IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8UFDFPN
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.856
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 30 - ott 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M34E02-FMB1TG Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM34E02-FMB1TG
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M34E02-FMB1TG, M34E02-FMB1TG Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.128,29 KB)
PDFM34E02-FMB1TG Datasheet Copertura
M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 2 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 3 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 4 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 5 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 6 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 7 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 8 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 9 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 10 M34E02-FMB1TG Datasheet Pagina 11

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M34E02-FMB1TG Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UFDFPN (2x3)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.5ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x10.5)

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SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (2K x 1)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

2.97V ~ 3.63V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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