M29W640GB70N3E
Solo per riferimento
| Numero parte | M29W640GB70N3E |
| PNEDA Part # | M29W640GB70N3E |
| Descrizione | IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.076 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
M29W640GB70N3E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | M29W640GB70N3E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- M29W640GB70N3E Datasheet
- where to find M29W640GB70N3E
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. M29W640GB70N3E
- M29W640GB70N3E PDF Datasheet
- M29W640GB70N3E Stock
- M29W640GB70N3E Pinout
- Datasheet M29W640GB70N3E
- M29W640GB70N3E Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- M29W640GB70N3E Price
- M29W640GB70N3E Distributor
M29W640GB70N3E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (256 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-DIP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 68-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 68-PLCC (24.21x24.21) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 120-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 120-TQFP (14x14) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EPROM Tecnologia EPROM - OTP Dimensione della memoria 1Mb (64K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 40-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 40-PDIP |
