M29W640GB6AZA6E
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| Numero parte | M29W640GB6AZA6E |
| PNEDA Part # | M29W640GB6AZA6E |
| Descrizione | IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.074 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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M29W640GB6AZA6E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | M29W640GB6AZA6E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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M29W640GB6AZA6E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 60ns |
| Tempo di accesso | 60ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 36Mb (1M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x20) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 256Mb (8M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.5ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-LFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-LFBGA (8x13) |
