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M29W160EB70ZS6E

M29W160EB70ZS6E

Solo per riferimento

Numero parte M29W160EB70ZS6E
PNEDA Part # M29W160EB70ZS6E
Descrizione IC FLASH 16M PARALLEL 64FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M29W160EB70ZS6E Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM29W160EB70ZS6E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M29W160EB70ZS6E, M29W160EB70ZS6E Datasheet (Totale pagine: 47, Dimensioni: 640,56 KB)
PDFM29W160ET70N3E Datasheet Copertura
M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 2 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 3 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 4 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 5 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 6 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 7 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 8 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 9 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 10 M29W160ET70N3E Datasheet Pagina 11

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M29W160EB70ZS6E Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia64-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore64-FBGA (11x13)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

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EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 8 x 2)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

350ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

24AA04HT-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 8 x 2)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

AT28C010-20EM/883

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-CLCC

Pacchetto dispositivo fornitore

32-LCC (11.43x13.97)

CY7C194BN-15PC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (64K x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-PDIP

S34MS04G204BHI013

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Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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