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M27C322-100S1

M27C322-100S1

Solo per riferimento

Numero parte M27C322-100S1
PNEDA Part # M27C322-100S1
Descrizione IC EPROM 32M PARALLEL 42SDIP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.679
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M27C322-100S1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM27C322-100S1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M27C322-100S1, M27C322-100S1 Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 218,4 KB)
PDFM27C322-100F1 Datasheet Copertura
M27C322-100F1 Datasheet Pagina 2 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 3 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 4 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 5 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 6 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 7 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 8 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 9 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 10 M27C322-100F1 Datasheet Pagina 11

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M27C322-100S1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia42-SDIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore42-SDIP

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-VFBGA

BR24G128FV-3GTE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SSOPB

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP I

CY7C1373D-100AXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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