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M24M01-DWDW3TP/K

M24M01-DWDW3TP/K

Solo per riferimento

Numero parte M24M01-DWDW3TP/K
PNEDA Part # M24M01-DWDW3TP-K
Descrizione IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8TSSOP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.646
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M24M01-DWDW3TP/K Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM24M01-DWDW3TP/K
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M24M01-DWDW3TP/K, M24M01-DWDW3TP/K Datasheet (Totale pagine: 37, Dimensioni: 623,02 KB)
PDFM24M01-DWDW3TP/K Datasheet Copertura
M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 2 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 3 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 4 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 5 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 6 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 7 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 8 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 9 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 10 M24M01-DWDW3TP/K Datasheet Pagina 11

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M24M01-DWDW3TP/K Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso450ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.1ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

288Mb (16M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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SST39WF400A-90-4I-ZKE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40µs

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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