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LTC4444HMS8E#PBF

LTC4444HMS8E#PBF

Solo per riferimento

Numero parte LTC4444HMS8E#PBF
PNEDA Part # LTC4444HMS8E-PBF
Descrizione IC MOSFET DVR N-CH SYNC HV 8MSOP
Produttore Linear Technology/Analog Devices
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.382
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

LTC4444HMS8E#PBF Risorse

Brand Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLTC4444HMS8E#PBF
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
LTC4444HMS8E#PBF, LTC4444HMS8E#PBF Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 677,72 KB)
PDFLTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Copertura
LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 2 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 3 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 4 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 5 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 6 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 7 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 8 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 9 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 10 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 11

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  • LTC4444HMS8E#PBF Distributor

LTC4444HMS8E#PBF Specifiche

ProduttoreLinear Technology/Analog Devices
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione7.2V ~ 13.5V
Tensione logica - VIL, VIH1.85V, 3.25V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2.5A, 3A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Tempo di salita / discesa (tipico)8ns, 5ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP-EP

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IR2118PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

2SB315B-FF800R17KF6

Power Integrations

Produttore

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Single

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

0V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

ISL6613ECBZR5214

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

ISL6596IRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-DFN (3x3)

ISL6614IR

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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