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LTC1255IN8#PBF

LTC1255IN8#PBF

Solo per riferimento

Numero parte LTC1255IN8#PBF
PNEDA Part # LTC1255IN8-PBF
Descrizione IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP
Produttore Linear Technology/Analog Devices
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.232
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

LTC1255IN8#PBF Risorse

Brand Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLTC1255IN8#PBF
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver

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LTC1255IN8#PBF Specifiche

ProduttoreLinear Technology/Analog Devices
Serie-
Configurazione guidataHigh-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione9V ~ 24V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

MAX627EPA+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

TC4427AEMF

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-S (6x5)

IRS4427SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.3A, 3.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

2SB315A-FF800R17KF6

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Produttore

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Single

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

0V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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