LSIC1MO120E0160
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| Numero parte | LSIC1MO120E0160 |
| PNEDA Part # | LSIC1MO120E0160 |
| Descrizione | SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3 |
| Produttore | Littelfuse |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.194 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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LSIC1MO120E0160 Risorse
| Brand | Littelfuse |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | LSIC1MO120E0160 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
LSIC1MO120E0160, LSIC1MO120E0160 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 930,34 KB)
  
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LSIC1MO120E0160 Specifiche
| Produttore | Littelfuse Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +22V, -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 800V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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