LM5107SD/NOPB
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| Numero parte | LM5107SD/NOPB |
| PNEDA Part # | LM5107SD-NOPB |
| Descrizione | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8WSON |
| Produttore | Texas Instruments |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 80.376 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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LM5107SD/NOPB Risorse
| Brand | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | LM5107SD/NOPB |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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LM5107SD/NOPB Specifiche
| Produttore | |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 8V ~ 14V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 1.3A, 1.4A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 118V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 15ns, 15ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (4x4) |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale 3-Phase Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 250mA, 500mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 1200V Tempo di salita / discesa (tipico) 90ns, 40ns Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.6A, 1.6A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Tempo di salita / discesa (tipico) 600ns, 600ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-WSON (4x4) |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 5V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 130ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Maxim Integrated Serie - Configurazione guidata - Tipo di canale - Numero di driver - Tipo di porta - Tensione - Alimentazione - Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4.5A, 4.5A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 15ns, 18ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-S (6x5) |
