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LH5116-10F

LH5116-10F

Solo per riferimento

Numero parte LH5116-10F
PNEDA Part # LH5116-10F
Descrizione IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
Produttore Sharp Microelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.672
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

LH5116-10F Risorse

Brand Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLH5116-10F
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
LH5116-10F, LH5116-10F Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 339,79 KB)
PDFLH5116-10F Datasheet Copertura
LH5116-10F Datasheet Pagina 2 LH5116-10F Datasheet Pagina 3 LH5116-10F Datasheet Pagina 4 LH5116-10F Datasheet Pagina 5 LH5116-10F Datasheet Pagina 6 LH5116-10F Datasheet Pagina 7 LH5116-10F Datasheet Pagina 8 LH5116-10F Datasheet Pagina 9 LH5116-10F Datasheet Pagina 10 LH5116-10F Datasheet Pagina 11

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LH5116-10F Specifiche

ProduttoreSharp Microelectronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia24-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore24-DIP

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (32M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

144-FBGA (18.5x11)

AS4C8M16SA-6TCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

CY15B108QN-40SXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IS64C25616AL-12CTLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

SST25VF080B-80-4I-SAE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST25

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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