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LH28F160S5HNS-S1

LH28F160S5HNS-S1

Solo per riferimento

Numero parte LH28F160S5HNS-S1
PNEDA Part # LH28F160S5HNS-S1
Descrizione IC FLASH 16M PARALLEL 56SSOP
Produttore Sharp Microelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.982
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

LH28F160S5HNS-S1 Risorse

Brand Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLH28F160S5HNS-S1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
LH28F160S5HNS-S1, LH28F160S5HNS-S1 Datasheet (Totale pagine: 63, Dimensioni: 691,16 KB)
PDFLH28F160S5HNS-S1 Datasheet Copertura
LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 2 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 3 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 4 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 5 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 6 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 7 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 8 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 9 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 10 LH28F160S5HNS-S1 Datasheet Pagina 11

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LH28F160S5HNS-S1 Specifiche

ProduttoreSharp Microelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8, 1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia56-SOP (0.524", 13.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore56-SSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

25MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1.25MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

S25FL127SABBHIC03

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

450MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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