KBU6M
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| Numero parte | KBU6M |
| PNEDA Part # | KBU6M |
| Descrizione | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 13.320 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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KBU6M Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | KBU6M |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
| Datasheet |
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KBU6M Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 1kV |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 4-SIP, KBU |
| Pacchetto dispositivo fornitore | KBU |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 750mA Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, GBL Pacchetto dispositivo fornitore GBL |
