JS28F064M29EWTA
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| Numero parte | JS28F064M29EWTA |
| PNEDA Part # | JS28F064M29EWTA |
| Descrizione | IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.966 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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JS28F064M29EWTA Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JS28F064M29EWTA |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
JS28F064M29EWTA, JS28F064M29EWTA Datasheet
(Totale pagine: 87, Dimensioni: 980,97 KB)
  
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JS28F064M29EWTA Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-TFBGA (8x13) |
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